半導体用語集
ウェハ固定
英語表記：wafer chucking
ウェハやマスクなどの基板をステージに動かないように固定することをウェハ固定と呼ぶ。基板は直接その位置座標をレーザ干渉計で測定できないため、基板を乗せたステージにレーサミラーを固定してその位置を間接的に測定する。レーザミラーと基板との間で相対変位が発生すると、その量はフィードバック制御外、すなわち補正不能となり、そのまま描画位置誤差となって現われる。したがって、加減速運動を行うステージ上に基板を動かないように固定する方法が電子ビーム描画装置では重要になる。さらに、描画するウェハは酸化膜 などが形成されてそり返って変形したものが多く、そのそりを矯正して平坦化する機能を併せ持たせることがウェハ固定には要求される。真空中で使用できるウェハ固定平坦化方法としては、ウェハに対しては電気的なクーロンカを利用して吸着する静電チャックが一般的である。一方、静電チャックで吸着固定できないマスクに対しては、機械的な保持機構が主である。後者の場合、マスク自重によるたわみやマスクを保持することによって生しるたわみをどのようにコントロールするかが重要になる。いずれの固定方法にも、固定後の基板平坦度は3 μm以下、加減速時の加速度によって発生する慣性力やステージ走行時に発生する振動による微小変位を土0.01μm以下に抑えることが要求される。
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