半導体用語集
エッチストップ
英語表記：etch stop
<p>エッチストップとは深い溝や穴をエッチングする場合に、途中でエッチングが停止することをいう。特に、徴細 (径0.25gm以下)で高アスペクト (アスペクト比: 5以上)のシリコン酸化膜穴(ホール)のェッチングでは大きな問題になっている。</p><p>シリコン酸花膜のエッチングでは、下地シリコンや窒化膜との選択性を確保するため、ポリマーを堆積させるフロロカーボンガスを用いる。この時、プラズマ中のCF3+イオンがシリコン酸化膜のエッチング種であり、CF2ラジカルがポリマー堆積の前駆体である。シリコン酸化膜上ではイオンが衝突した際に、酸素が生成され表面に堆積したポリマーをC02あるいはCOという形で除去する。</p><p>一方、シリコン基板や窒化膜上からは酸素は生成されないのでポリマーが堆積し、エッチングを抑制するというメカニズムである。しかし、穴径が小さく深くなるとプラズマから穴内に入射するイオン密度が低下しポリマー堆積がエッチングに優ってしまう場合がある。この時、エッチングがストップしてしまうのである。この問題を解決するためには、プラズマ中でのイオンやラジカルの生成バランスを最適化する必要があり、ガスケミストリの検討が重要となる。</p>
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