半導体用語集
エロージョン
英語表記：erosion
半導体製造プロセスにおいて、上層配線と下層配線を結ぶビアの形成やダマシン配線の形成に金属のCMP技術が使われる。このときビアや配線パターンが無い部分に比べ、ビアや配線が密に並んだ部分の絶縁膜が薄くなってしまう現象のことをいう。CMPが進行するにつれてビアや配線パターンが表出し始めると、ビアや配線溝内の金属表面が回りの絶縁膜表面よりも下に位置するディッシングやリセスと呼ばれる現象が生じる。すると、ビア間や配線間の細い絶縁膜部に荷重が集中し、絶縁膜が削れてしまうために本現象が起こる。その量は、ビアや配線のパターン密度（ビアや配線と絶縁膜の面積比）や研磨布の力学的性質、スラリーの性質（金属と絶縁膜の研磨選択比）、研磨条件、オーバー研磨量に支配される。
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