半導体用語集
ゲッタリング
英語表記：Gettering
半導体素子の製造歩留りを向上させるために、有害な金属などの汚染物質を捕獲固定する方法として、結晶中の酸素濃度や、熱処理による酸素析出量を制御するなどして無欠陥層を形成する。また、ウエハを適当な条件で熱処理することにより結晶内部に重金属（Fe、Cu、Crなど）を固定する結晶欠陥層をつくる。これによりウェハ表面の結晶性を向上させることができる。また、ウェハの裏面に多結晶シリコンを結晶するとか、高濃度のリン（P）を拡散させることにより有効なゲッタリングが行われる。ゲッタリングは以上のように結晶の性質を利用した内部ゲッタリングとリン（P）拡散のように外部ゲッタリングの2種類がある。
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