半導体用語集
コロージョン
英語表記：corrosion
半導体デバイスのCMPプロセスでは、研磨中あるいは研磨後の後処理工程において配線金属が局所的に腐食される現象をいう。金属膜中や表面に残留する不純物がイオン化したときなどに、金属原子を溶かし出すことが原因となることが多い。金属膜のCMPでは、機械的作用と化学的作用のバランスをコントロールすることが重要であるが、バランスが崩れ化学的作用が強まったときに生じる。WのCMPでは、H2O2を酸化剤として用いた場合にシームが広がりキーホールとなる現象が見られる。CuのCMPにおいては溝内部のCu表面が研磨されて絶縁膜表面より下になり、研磨パッドがCu表面に届かず機械的研磨が進まなくなり、ケミカルエッチングのみが進んだ場合にコロージョンが見られる。また、バルクにコンタクトしているCu配線の場合には、光のエネルギーによりP型にコンタクトしている配線ではCuのエッチングが、N型にコンタクトしている配線ではCuの析出が見られる場合もある。
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