半導体用語集
サリサイド構造
英語表記：salicide structure
ゲート電極上とソース・ドレイン領域上に、同種の金属シリサイドを自己整合的に形成した構造。サリサイド構造では、金属とシリコンに熱処理を加えることでシリサイドを形成するという手法を用いるために、使用する金属シリサイドは、低抵抗であることと同時に、シリサイド化反応の制御が容易であることが必要である。サリサイド材料として最も一般的に用いられているシリサイド膜は、チタンシリサイド（TiSi₂）であるが、クォータミクロン以降の世代のデバイスでは、コバルトシリサイド（CoSi₂)、ニッケルシリサイド（NiSi）なども用いられる。一方で、これらのシリサイド材料は、ポリサイド構造で使用されているタングステンシリサイド（WSi₂)、モリブデンシリサイド（M0Si₂）と比較すると、耐薬品性に劣るため従来のポリシリコンゲートのプロセスフローとの整合性に欠けるという欠点を持つ。
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