半導体用語集
シロキサン結合
英語表記：siloxane bonding
シロキサン結合はSiー0ーSi結合のことであり, Si酸化膜中や, Si,酸化膜界面に形成される。貼り合わせ SOIでは酸化膜を介してSi基板を他のSi基板と室温で貼り合わせる。貼り合わせ直後はOH基を介した水素結合で密着するが、貼り合わせ強度を増すため1,100℃程度で熱処理すると脱水縮合が起こりこのOH基を介した水素結合はシロキサン結合になる。Si基板同士を酸化膜を介さすに直接貼り合わせる直接接着基板の場合,貼り合わせ直後はOH基を介して基板同士が貼り合わされる。界面のOH 基は熱処理時にH20となり, Si基板中に拡散して界面の大部分ではSi同士がSi-Si結合で結合するが、実際の基板表面には微小な凹凸が存在し、基板表面の自然酸化膜に起因するSi酸酸化膜の粘性流動で埋められるため,直接接着基板の界面でも部分的にはシロキサン結合が存在することが確認されている。
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