半導体用語集
ストッパ
英語表記：stopper
CMPやエッチングの局所的なばらつきを吸収する目的で加工する膜の下に付ける膜であり、研磨速度やエッチング速度が小さい膜を用いる。CMPではSTI形成で使われており、ポリシングする酸化膜の下に敷く薄いシリコン窒化（SiN）膜がこれに当たる。STI形成ではCMPによるシリコン基板へのダメージを回避するため、基板表面に薄い膜を均一に残してCMPを終了する必要がある。このときの要求精度は現状CMP精度を越えているため、ストッパが用いられている。SiN膜のCMP速度を小さくするにはスラリー成分の調整が必要であり、専用スラリーが開発されている。プラズマエッチングではビア形成で、SiN膜ストッパを用いる検討が行われている。加工膜のストッパ膜に対する加工速度比は選択比とも呼ばれ、大きい方がストッパ性が高いのは言うまでもないが、得られる選択制に限界があることや、ほとんどのプロセスでストッパ膜そのものの除去も必要であるので、使用目的に応じた選択比と膜厚比の最適化が重要である。
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