半導体用語集
チャネルストッパ
英語表記：channel stopper
トランジスタ間の素子絶縁に LOCOS構造を利用する場合に、素子絶縁膜直下には寄生MOSトランジスタが形成され、LOCOS絶縁膜上の金属配線により、寄生MOSトランジスタが動作することを防ぐ目的で行われる。この動作を制限するために、絶縁膜を直下に基盤と同種のタイプの不純物をドーピングし、寄生MOSトランジスタのON電圧を本来のMOSトランジスタのON電圧以上となるようドーピングレベルを調整する。ドーピングは絶縁膜作成前にイオン注入などにより行われる。LOCOS絶縁膜はトランジスタの動作領域よりも厚くなるため、チャネルストッパをイオン注入により行う場合には、トランジスタの電極層の形成に利用するイオン注入エネルギーにくらべエネルギーが大きくなり、必然的に高エネルギーイオン注入となる。
LOCOS絶縁膜直下にドーピングを行うため、LOCOS構造を形成するために行われる、SiN膜およびその上のレジストなどを、イオン注入マスクとすることができる。高エネルギーイオンを十分停止させるためには、十分な厚さのレジストまたはSiN膜が必要となる。基盤またはウェルへのチャネルストッパには、これらの領域にドーピングされている同種の不純物をイオン注入する。p型基盤は通常ホウ素がドーピングされているが、ホウ素は酸化膜形成時に酸化膜へ拡散し、基盤側の濃度が低下するので、ホウ素濃度の低下を見込んでドーピング量を決定しなくてはならない。不純物イオンの飛程を酸化膜と基盤界面よりも深くなるよう注入エネルギーを設定する。n型基盤にドーピングされる不純物はリンであり、ホウ素のように濃度の低下は起こりにくい。
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