半導体用語集
ポイゾンドビア
英語表記：poisoned Via
層間絶縁膜に有機SOGなどを用いた場合に発生する、故障を持つビアホール。ビアホール内からのガス放出により、ビアホール内にWやAlが成膜できなかったり、見た目は異状なく成膜されていても内部に空洞を持つ状態になることを意味する。有機SOGやHSQなどの耐酸素プラズマ性の低い材料を層間絶縁膜として用いた場合に発生ずる。有機SOGやHSQは、通常上下をプラズマ酸化膜で挟んで用いられる。しかし、ビアホール形成時には、ホール側壁にSOG表面が露出してしまう。この状態で、レジスト除去のため酸素プラズマを用いてアッシング処理を行うと、側壁SOG表面から有機成分が取り除かれ吸湿性の高いポーラスな膜となる。この部分に吸収された水分は、次のビアホール埋め込みのためのWなどの金属成膜工程で、ビアホールから再度放出される。このため、ビアホール内に金属膜が十分に成長しないようになる。無機SOGであるHSQの場合は、酸素プラズマ処理で側壁部の膜中からSi-H結合がなくなり、、同様にポイゾンドビアを生じやすい。レジストの酸素アッシング処理の前に、酸素RIEなどで、側壁に露出しているSOG膜を改質することで、発生を妨げる。
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