半導体用語集
ポジ型レジスト
英語表記：positive type resist
光，電子，イオンなどのエネルギー線の照射部のレジストが現像処理により溶解除去され,マスクを用いた場合マスクと同一のレジストパターンがえられるのがポジ型レジストである。代表的なポジ型フォトレジストは、アルカリ可溶性のノボラック樹脂と感光材であるナフトキノンジアジド化合物からなる。ノボラック樹脂に感光材のナフトキノンジアジド化合物を添加して作られるレジストはノボラック樹脂より溶解速度が大きく低下する。これを露光すると，溶解速度はノボラック樹脂よりさらに高くなり，その結果として露光前後の溶解速度比を大きくできる。ナフトキノンジアジド化合物は露光によりインデンを経てアルカリ溶解性のインデンカルポン酸に変化する。この反応により，感光剤は露光前には溶解阻止剤としての機能を果たし，露光後は溶解促進剤としての役割を果たす。溶解速度比が大きいほど高解像性となる。そのため，ノボラック樹脂や感光剤の構造，樹脂の分子量，感光基の含有量などが検討されている。溶解速度比が大きいことだけでなく，感光剤の光透過性が向上する材科は露光部と未露光部との露光コントラストを高めることができるため，高解像性が可能となる。
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