半導体用語集
不純物原子
英語表記：impurity
半導体の電気的性質を制御するために濃度を規定して添加される、半導体と価電子数が異なる原子のことをいう。母体結晶の構成元素と置き換わる置換位置に入ることで浅い不純物準位を作りキャリアの供給にあずかるものと、母体結晶の格子間に入ることで深い不純物準位を作りキャリアのトラップや電子・正孔の再結合にあずかるものとがある。不純物準位を、伝導帯下端のすぐ下に作り自由電子を供給する不純物をドナーと呼び、不純物準位を価電子帯上端のすぐ上に作り自由正孔を供給する不純物をアクセプタと呼ぶ。Ⅳ族半導体であるSiでは、ドナーはV族元素のP、As、Sbなどで、アクセプタはⅢ族元素のB、In、Gaなどである。ⅢーV族半導体である GaAsでは、ドナーはⅥ族元素のS、Se、TeおよびⅣ族元素のSiなどで、アクセプタはⅡ族元素のZn、CdおよびⅣ族元素のSiなどである。Si、GaAsに対して深い不純物準位を作る不純物としては、重金属などがある。
関連製品
「不純物原子」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「不純物原子」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
