半導体用語集
ボイド
英語表記：void
配線膜中に発生する空隙のことをいう。ボイドの発生原因は、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションであることが多い。エレクトロマイグレーション起因の場合、ボイドは、ヒロックやホイスカーより負極側に発生する。これは、エレクトロマイグレーションで移動する金属イオン密度が、配線膜中の粒界（特に粒界の三重点）などにより均一となり金属イオンが不足したところにボイドが発生、成長するためである。一方、ストレスマイグレーションにおいては、スリット状ボイドや楔状ボイドなどが知られており、この場合、Alなどの配線材料と周辺材料の熱膨張係数の差によって発生する熱応力や、膜の堆積状態で持つ真性応力に起因される。このようなボイドの発生、成長は、信頼性の低下や断線の原因となりやすいため抑制する必要がある。また、CVDやメッキなどによる膜形成時に被覆性が低下した場合に空隙が発生する場合があり、これも一般にボイドという。
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