半導体用語集
不純物拡散
英語表記：Impurity diffusion
<p>半導体基板への不純物添加(ドーピング)を拡散現象を用いて行うこと。
主なp型不純物としてはホウ素(ポロン) (B)、n型不純物としてはリン (P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb) がある。半導体素子においては、不純物の分布が素子特性に大きな影響を与えるため、不純物拡散におけるドーピング濃度、プロファイルの制御はきわめて重要である。そのため、供給する不純物の量、濃度や拡散炉の温度の精密な制御が不可欠である。</p><p>熱拡散法は、イオン注入法が一般化する以前に用いられていた方法であるが、ドーピングの制御性、均一性の点で劣るために、現在ではイオン注入法が主流となっている。 しかし、イオン注入では生じた過剰な欠陥が拡散を促進する現象 (過渡的増速拡散) やチャネリングなどの間題があり、熱拡散法の方が浅く、急崚な接合を実現できる可能性もある。そのため、現在においても拡散方法について様々な試みがなされている。</p>
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