半導体用語集
不純物拡散
英語表記：Impurity Diffusion
不純物の導入方法をドーピングという。加熱による拡散を行う熱拡散法とイオン注入法がある。
＊熱拡散法
①プレデポジション（Pre-Deposition）
導入したい不純物を含む材料ガスを熱分解し、所望する不純物のみをSi結晶基板表層部に導入する。（不純物＝
ドーパント）
②ドライブイン（Drive-in）
基板表層部の不純物分布を深い領域に移動させるために比較的高温で拡散させ、
所望する深さに再分布させる。
＊イオン注入法
所望の不純物をイオン化し、それを高電界で加速してSi結晶基板中に叩き込む。次に高温アニール処理により損傷を
受けた結晶の回復と不純物の活性化を行う。
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