半導体用語集
低速電子線回折法
英語表記：low energy electron diffraction
試料に入射する電子のエネルギーが低くなると，構成原子による電子の散乱確率は増加する。したがって低エネルギー領域の電子を入射してえられる回折像は物質の最表面層から数原子層までの原子配列構造を反映した情報を与える。回折像の形，大きさ，対称性などの観察および回折強度を解析することにより，表面近傍の原子配列を調べることができる。これまで，回折図形の形状や回折点の角度分布を運動学的回折理論により解析し，えられた表面格子の幾何学や欠陥に関する情報をベースとし，表面構造がモデル化されてきた。このように最近までは低速電子線回折法が表面研究の中心を成す解析法であった。
スピン偏極した電子を固体表面に入射すれば，表面における磁気的性質を調べることができる。この手法はスピン偏極低速電子線回折法と呼ばれ磁性体研究に使用されている。
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