半導体用語集
光CVD
英語表記：photo CVD
プラズマCVDは、CVD薄膜の低温化をもたらし、またアモルファス
Siのような新しい半導体素子作製に用いられている。薄膜作成の分野、特に半導体の分野では、（1）高温（熱CVD）、（2）プラズマ処理（PCVD）中に素子中に送り込む各種の欠陥、（3）素子の不純物プロファイルを後工程のの高温処理で崩したくない、（4）したがって低温で薄膜をつけたい、などの要請が強い。特にLSIなどの多層配線ではこの要請はますます大きくなる。これらの解決のため方法として、光CVDはその一つと考えられている。熱分解では、加熱により、通常分子の並進運動と内部自由度が一様に励起されている（分解に不要な自由度まで励起している）。これに対して、光CVDでは、分解に必要な、内部自由度のみを直接励起し、活性エネルギーを与え分解、反応を促進る。つまり，低温で、おそらくほとんどダメージもない薄膜を作るものと期待されている。また，光の絞りや走査により、細い線を直接書いたり、エッチングすることもできると期待されている。装置的には、ビーム状の場合と広い面積の場合がある。一例では、水銀ランプを用いて、基板温度200°Cで、120A/min の成長速度をえている。
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