半導体用語集
化学増幅型レジスト
英語表記：chemicaiiy amplified resist
現像液への溶解特性変化に化学増幅反応を用いたレジスト材料。レジスト中に感光剤として酸発生剤を含有し、パターン露光によって酸を発生させる。露光に続くべーキング処理によって触媒反応と酸拡散が誘起され、ポジ型レジストの場合は、溶解阻止剤(保護基)が失活(脱保護)し、現像液に可溶となる。紫外光に対し透過性を高めた樹脂を選択できることと、化学増幅反応を採用したため、従来のノボラック系樹脂を用いた材科とくらべ、高感度である。この特徴を活かして、遠紫外線、エキシマレーザ、X線、電子線露光などの輝度の不足を補える。
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