半導体用語集
露光時間
英語表記：exposure time
レジストに電子ビームを照射している時間を露光時間と呼ぶ。
露光時間は,レジスト感度とビーム電流密度の関数であり、両者が高ければ高いはど露光時間は短くなる。したがって、露光時間短縮の観点からは、レジスト感度の向上と、ビーム電流の右度化が重要である。レジスト感度は、化学増幅型レジストの出現によって大きく向上した。その反応メカニズムは、電子ピーム露光でレジスト中に含まれる酸発生剤から酸を発生させ、露光後のべークにより、この酸で樹脂の架橋もしくは分解反応を促進させるというものである。酸の発生によって反応が増幅されるため、電子ピームによって樹脂を直接反応させるタイプのレジストにくらべて、少ない照射量でもパターンの形成が可能になる。ただし、発生した酸の拡散やアルカリイオンとの中和反応による酸の失活などで、解像性やレジストの断面形状で従来のレジストにくらべてやや劣る。レジスト感度は、電子ビームの加速電圧にも依存して変化する。加速電圧が高いと、電子ビームはレジスト中を素通りする割合が多くなり、レジストの感光効率が低下する。したがって、レジストは低加速電圧の電子ビームで露光するほど感度が高くなる。しかし、ビ ームボケを抑制して解像性を高めて微細化に対応しようとする観点からは、装置の高加速電圧化が必須であり、加速電圧でも,高感度,高解像性を持つレジストの開発が不可欠となってきている。ビーム電流を大きくしても、照射時間の短縮を図ることができる。しかし、大電流化すると、電子同士のクーロン反発力が増加してビームのポケが大きくなる。特にVSB露光にくらべて露光面積の大きい部分一括露光では,この効果が顕著であり、解像性の劣化は避けられない。これを回避して高速化を達成しようと、100kV近い高加速電圧を採用してビームボケを小さくした電子光学系の開発や、ポケ分だけピーム寸法を小さくして露光するバイアス露光など様々な技術の検討が行われている。
関連製品
「露光時間」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「露光時間」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
