半導体用語集
反応性プラズマ過程
英語表記：reactive plasma process
希ガスに電界を印加して形成されるプラズマに対して反応性ガスに電界を印加して形成したプラズマを反応性プラズマと呼ぶ。希ガスプラズマにおいては、希ガスの電離によってイオンや準安定原子などが生しる。これらの粒子は化学的には不活性である。希ガスプラズマ過程においては、主に、生成したイオンを電界で加速し固体表面に衝突させることによって物理的なスパッタ過程などが生じる。一方、反応性ガスをプラズマ導入した反応性プラズマの場合は、反応性ガスの電離や解離によって、反応性の高いラジカルや正、負イオン、励起状態の原子分子などの反応活性種が多量に発生するため、プラズマ自体が化学的に活性となる。このような化学的に活性な粒子の気相および固体表画との反応を反応性プラズマ過程という。反応性プラズマ過程として、気相中における反応性ガスへの電子衝突による電離や解離による反応性種の生成過程や、これらの活性種の再結合、 拡散やドリフトなどによる消滅反応過程がある。 拡敏やドリフトによって基板へ輸送された活性種は、固体表面において、吸着、表面移動などの複合的な表面反応過程によって薄膜堆積、エッチング、スパッタリング、重合、表面修飾などを引き起こす。半導体の製造においては、これらの反応性プラズマ過程が利用されている。
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