半導体用語集
形状
英語表記：etched feature
エッチングではその形状がきわめて重要であり、特に垂直性の形状とともに深い高アスペクト比構造の形成いかんが今後の微細加工技術の鍵となる。エッチング形状には、マスク端を中心に円弧を描きながらエッチングされ、その結果マスクの下にアンダカットまたはサイドエッチが侵入する等方性形状、特定の結晶は反応が進まないため、その結晶面が現われる異方性形状、アンダカットが入りながらもウェハ面に垂直方向にエッチング進行して生じる方向性形状、マスク寸法どおりに垂直の壁を持って、ウェハ面から下方にエッチングが進行して生じる垂直性形状がある。これらの形状形成とエッチング機構の間には密接な関係がある。
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