半導体用語集
日米半導体協定
英語表記：Japan - U.S. semiconductor arrangement
日米半導体協定の発端は、1985年6月、米半導体工業会（SIA）がダンピング輸出を理由に日本を通商法301条で提訴したことに始まる。その目的としては、米国市場やEC市場で発生した日本製DRAM・EPROMダンピング問題の処理、および当時半導体産業において急速に高まってきた日本の競争力と、相対的に低迷してきた米国の競争力の関係を是正するため、日本市場での外国系半導体シェアの拡大を図るというものである。1986年に締結された二国間の政府協定である日米半導体協定は、5年間を期限とした協定であった。しかしながら、「シェア20%」という数値目標が達成されていないとして、1996年7月末を期限とする新日米半導体協定が発効されることで延長され、通算10年間続いた。このように同協定は、日本の半導体業界の履行義務が柱となっている片務的協定であった。
この間、四半期ごとに算定された外国資本系製品の日本市場シェアが同協会より公表された。1986年の協定締結時には約10％であった外国製半導体のシェアは、1991年時点においても16％程度に留まっていた。「シェア 20%」という数字をめぐっては、あくまで数値目標であるとする日本政府に対して、米国政府は「シェア 20%」は達成公約であるとして、長い間議論がなされたが、1992年初より加速的に日本市場における外国系半導体のシェアが上昇し、1992年10～12月期に初めて20％を超え、1995年10～12月期には30％近いシェアに到達、その役割を終え、1996年8月1日に期限満了ということで同協定は失効し、交渉の決着をみた。
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