半導体用語集
汚染除去
英語表記：contamination control
CMPで用いられる研磨液中の砥粒自身がパーティクルであり、またSi02 用の研磨材は、pHコントロールのため、一般的にKOHなどのアルカリ金属を含む。またメタルCMPでは酸化剤として硝酸鉄など重金属を含むものもある。よってCIVIPプロセスの後処理洗浄が必須であり、対象となる汚染物はパーティクルと金属不純物である。パーティクル発生源は、主として
砥粒(シリカ、アルミナなど)だが研磨パッドの破砕片もウェハ汚染となりうる。洗浄技術としては、プラシスクラビングや超音波洗浄に代表される物理洗浄と、リフトオフおよび汚染物の溶解に代表される化学洗浄とがある。
物理洗浄としては、前述の他にキャピテーションによる衝撃力でパーティクルを除去するキャピテーションジェット法も提案されている。また こうしていったん除去した汚染物を再付着さ せないことも重要である。
パーティクル除去に関しては、パーティクルと基板表面との間のゼータ電位が重要である。たとえば、メタルCMPの際一般的に用いられるアルミナは、中性領域ではプラスの電位を持つのに対し、基板の酸化膜表面はマイナスになり、パーティクルとしてのアルミナは、基板に引きつけられてしまう。これを避けるため、アルカリ性の洗浄液を用いるなどの注意が必要となる。初期的なCMP装置は、こうした汚染の問題があり、装置も他の前工程とは別部屋に置かれ、クリーンルームへ戻す際に洗浄する方式であったが、近年dry-in/dry-out方式が主流となり、CMP装置内でin-line洗浄機を搭載する傾向にある。特にケミカルを使う洗浄モジュールに関しては、雰囲気、材料などの注意も必要。
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