半導体用語集
浅い接合形成
英語表記：shallow junction
集積度が高まり,個々のデバイスサイズが小さくなるにつれて、浅い接合形成の技術が必要となる。イオン注入で浅いn+領域を形成するためには低加速エネルギーでのAs+注入と、短時間アニール(RTA)を用いることによりシャロー化に対応できると考えられる。しかし、浅いP+領域を形成する場合には困難が多い。これはB が軽元素であるために飛程が大きく、またチャネリングの影響などで浅い注入分布がえられにくいからである。これらの間題を解決するために、BF2+ 注入が用いられる。質量数が大きいので、同一加速エネルギーでの飛程は B+の1/4になり、かつ非晶質層が形成されやすい。またB+注入を行う前に、基板表面を非晶質化しておくプリアモルファス化とB+低エネルギー注入の組み合わせも、浅い接合の形成のために実用化されている。
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