半導体用語集
熱圧着ワイヤボンディング
英語表記：thermo compression wire bonding
接合しようとする金属細線（一般的にはAu）およびその対象物（一般的にAlあるいはAu）に対し，熱と圧力を加え，その境界面に塑性変形を与えることで接合部での酸化膜破壊，および表面の活性化を促し，両金属間の拡散接合によって金属間化合物を形成し，接合させる方法。TC（Thermo Compression）法とも呼ばれている。加熱温度は，300～350℃である。金属細線（Auワイヤ）の線径は，通常25～30µmが使用される。ボール形成の方法としては，酸水素トーチ，電気トーチと二通りあるが，電気トーチによるスパークでAuを溶融させる方法が主流である。ボール形成の次に，キャピラリィを降下させ，キャピラリィ下面によって，ボール状となったAuを素子上に形成されたAl電極に加圧すると，Auボールは塑性流動を起こしつつAl電極と接合される。素子上の電極への接合を終えたら，インナリードヘの接合を行う。キャピラリィをインナリード側へ移動させ，Auワイヤをキャピラリィ下面によって押し潰し，インナリード表面に熱圧着する。
一般的に，素子上のAl電極への接続部をボールボンド部，インナリード側に接続された部分をウェッジボンド部と呼ぶ。300～350℃という高温下での圧接であるため，金属間で拡散結合しやすく，圧力のみで接合できるが，反面，ダイボンド接着部，ガラエポ基板などパッケージを構成する材料がこの高温度に耐えることが必要である。このため，はんだ接着，エポキシグルー（銀ペーストの一種）など，物性値の変動が比較的低温のもので，ダイボンディングされたパッケージや，BGAなどの基板上のボンディングには適さず，使用範囲が限定されるというデメリットがある。
また，ボンディング後，このような高温度下に長時間放置されると，熱によるAuとAlの相互拡散速度が速いため，Au-Al合金部の劣化（接合部信頼性低下）が心配される。
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