半導体用語集
犠牲酸化
英語表記：sacrified oxidation
LSI製造工程においてSi表面をプロセスの汚染から保護したり、あるいはSi表面の汚染や欠陥を除去する目的で酸化膜を成長させておくことがある。次の工程に入る前にこの酸化膜はエッチングで除去する。この犠牲酸化の代表は、不純物イオン注入前にSi表面に酸化膜を成長し、その膜を通してイオン注入することで金属汚染がノックオンによりSi基板に侵入することを防ぐことができる。ポリSi電極の寸法を制御するために犠牲酸化を行うこともある。Si基板表面の汚染や結晶欠陥を除去する目的のためにも、犠牲酸化は使われる。いずれの場合も、酸化膜の膜厚は数10 nmであり、通常ドライ酸化あるいはスチーム(加湿)酸化が使われる。
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