半導体用語集
石英るつぼ
英語表記：quartz crucible
原料であるポリシリコンのFeの含有量は、ppbwオーダであるが、結晶化時の偏析係数は8×10⁻⁶と小さいため、固化率gでの結晶不純物濃度Csは次式で表される。
Cs=k₀・C₀・（1-g)ᵏ⁰⁻¹
ここで、k₀は偏析係数、C₀は初期不純物濃度である。CZ単結晶中に取り込まれる重金属汚染量は、上式からわかるように、10⁹atoms/cm³前後に純化される。高純度天然石英るつぼを用いた時の主な金属汚染の汚染源は、Alは石英るつぼから、Cuはポリシリコンから、Feは主にポリシリコンであるが、石英るつぼからの取り込みも無視できない状況である。代表的な高純度天然石英るつぼの不純物濃度は、表1のとおりである。
結晶固化時の他の偏析係数は、Alは2×10⁻³、Cuは4×10⁻⁴である。合成石英るつぼを使用することにより結晶中に取り込まれる不純物は、Alは激減する。Feの減少は顕著ではないが、ポリシリコンの高純度化に伴い効果となって現れる。
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