半導体用語集
空孔濃度
英語表記：vacancy concentration
空孔(V)と格子間シリコン(I) は熱平衡状態でも存在することは、実験的にも点欠陥が不純物拡散に与える影響から確認されていて、実際の空孔濃度CVと格子間シリコン濃度Cは質量作用の法則に従いそれぞれの平衡濃度CvF、CSとの間に次式の関係を持つ。
CvC%DC"C平衡濃度の式によれば、たとえば熱酸化によりSiO2/Si界面から上が供 給されると、C>CHとなり、Iが過飽和となってCV
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