半導体用語集
D欠陥
英語表記：D-defect
FZ-Siで成長速度を速くすると（約6mm/分以上）、スワールパターンを持たない均一に分布する欠陥が発生し、D欠陥と呼ばれる。D欠陥は空孔から形成された二次欠陥で、実体は空孔クラスタである。D欠陥領域は、Cuデコレーション後のX線トポグラフィにより、比較的強度の強い均一な領域として観測される。またSecco液による選択エッチングでFPDが観測される。窒素添加による抵抗率測定から、D欠陥中の空孔濃度は3.5×1015cm-3以上と見積もられた。成長停止実験や成長速度を変化させた実験により、D欠陥領域は格子間シリコンと再結合できなかった過剰な空孔が閉じ込められた領域であることがわかっている。
FZ-SiのD欠陥はCZｰSiのAOPと対応するが、違いはCZではFZに比べ徐冷されるため過剰空孔が格子間シリコンと再結合して平衡濃度に近づく点と、空孔が高濃度の格子間酸素と強く結合して前述再結合を制限している点にある。A欠陥とD欠陥の発生のメカニズムは、以下の「Voronkovの理論」の項を参照されたい。
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