半導体用語集
等倍露光
英語表記：proxnnity ion beam lithogra・ phy
等倍露光イオンビームリソグラフィでは、マスクとウェハを数10μmの問隔で保持し、100keV程度の運動エネルギーのヘリウムや水素などの軽イオンをマスクに照射し、透過したイオンビームによりウェハ上のレジストを露光する。マスク構造としては、10nm程度の厚さのA1203などのメンプレン上に重金属の吸収体バターンを作製した超薄膜マスク, 14m程度の厚さのSiやSi3N4などの薄膜に開孔パターンを形成したステンシルマスク、Si結晶の (110) 方向などのイオンのチャネリングによる透過率の向上を利用したチャネリングマスク、チャネリングマスクのイオンビーム入射側に 薄い金属の散乱体パターンを形成し、ここで散乱したイオンビームがデチャネリングすることでコントラストを形成するデチャネリングマスクの4種類が提案されている。超薄膜マスクを使って、10nm程度の寸法のパターンが転写されているが、大面積 (チップ面積程度) の薄膜メンプレンを作製する技術はいまだ報告されていない。ステンシルマスクは、もっとも忠実にパターン転写を行えるが、ロの字型のパターンを形成するには2枚のマスクか必要となり、また、開孔パターンの位置精度は、メンブレン自身の持つ応力あるいはイオンヒーム照射による応力変化で悪化することも懸念される問題 0 である。 一方、チャネリングマスクやデチャネリングマスクでは、透過したイオンは、角度分散を持つようになるため、その分解能は、マスクとウェハとのギャップ間隔により決まり、200 nm程度のパターン解像度が限界と見積られている。
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