半導体用語集
表面ラフネス
英語表記：surface roughness
サリサイドでの表面のラフネス（粗さ）には、シリサイド表面の粗さと、シリサイド/シリコン界面の粗さとがある。特に、接合リーク電流増加の原因となる後者のラフネスの改善がサリサイドプロセス上の課題となっている。シリサイド/シリコン界面のラフネスは、シリサイド反応によって生じる体積変化の量と関連している。一般に、初期の金属膜厚に対して反応するシリコンの膜厚が厚く、体積変化が大きい場合には、界面のラフネスが悪化する傾向がある。このため、TiSi₂、NiSiと比較してシリサイド反応時の体積変化が大きいCoSi₂では、シリサイド/シリコン界面ラフネスは悪化しやすい。また、金属/シリコン界面に酸化シリコンが存在する状態でシリサイド反応を行うと、酸化シリコン層によって反応種の拡散が阻害されるため、界面ラフネスは悪化しやすくなる。
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