半導体用語集
表面濃度
英語表記：surface concentration
不純物分布の表面における濃度。 ICプロセスでは、プリデポジション (predeposition)と押し込み(drivein、ドライブイン行程)の2段階拡散が一般的に用いられる。プリデポジションではドーパント原子を固溶度まで拡散させ、表面濃度一定の条件を達成させる。次にこのプリデポジション後の分布を一定量の拡散源としてドライブイン行程を行う。しがって、プリデポジション後における表面濃度の迅速な評価は、実際のプロセスでは重要となる。これは不純物分布を実際に測定しなくても、シート抵抗(層抵抗)ρs と接合深さとから評価することができる。シート抵抗は、
で与えられる。 ここで、V、Iはそれぞれ4探針測定による電圧、電流である。ドーパントを拡散したSi層内における平均的な抵抗率を¯ρとすると、
¯ρ= sXj
となる。ここで、xjは接合の深さである。ところで、不純物分布が補誤差関数分布またはガウス関数分布により与えられる場合、さまざまな基板濃度の試料について平均抵抗率を計算することができる。このようにして表面濃度と平均抵抗率との関係が求められている。したがって、シート抵抗(層抵抗)と接合深さが求まれば、この関係を用いて表面濃度を決定することができる。
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