半導体用語集
超高エネルギーイオン注入
英語表記：ultra-high energy ion 1mplantation
MeVクラスのイオンエネルギーで不純物のイオン注入を行う方法である。注入された不純物は半導体内部に分布し表面には分布しないことが多い。図1に1 MeVでB、P、および Asイオンを注入量5×1012cm-2でSi へ注入した場合のイオンの分布の計算結果の一例を示す。その分布は、表面側から徐々に増加し飛程付近で最大値となった後、飛程端へ向かって急峻に減少する特徴がある。高エネルギーで半導体へ入射したイオンは、表面層で原子とはとんど衝突を起こさないため、表面層に与える注入ダメージは一般的に小さい。この特性を利用して表面層に構造を作成した後でも、半導体基盤内部へ不純物ドーピングを行うことが可能である。埋め込み不純物ドーピング層、ウェル形成やレトログレード注入層を形成することに利用できる。
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