半導体用語集
ダメージ
英語表記：damage
アッシング工程で間題にされるダメージはチャージングによるものが主である。チャージングダメージはプラズマ中で発生した荷電粒子が基板に到達し発生する。正負の荷電粒子が等量基板に到達する時には発生しないが、徴小面積における荷電粒子バランスは必ずしも取れていない。エッチングでもこの現象は問題にされる。しかし、アッシングエ程はリソグラフィの工程と等しく多いのでわずかのチャージングでも問題にされる。チャージングを防ぐ方法として放電室と反応室を分離し、ラジカルのみを輸送してアッシングを行う分離型ダウンフロー方式がある。この方式であると輸送される過程で荷電粒子同士の再結合や壁面での荷電消失が起こるので基板上におけるチャージングを低く抑えることができる。しかし、輸送距離が必要なので活性な原子状酸素も再結合し、その濃度が低くなって高いアッシング速度は得難い。高いアッシング速度がえられる方法として高密度プラズマ源を搭載した放電室一体型のダウンフローアッシング装置が最近多く使用されるようになってきた。この方式ではチャージングダメージを防ぐため放電部と反応室の間にパンチングメタルを置き荷電粒子を遮るようにしている。
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