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［HAXPES］硬X線光電子分光法

財団法人材料科学技術振興財団
最終更新日: 2025年02月11日
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XPS（X線光電子分光）の励起光に硬X線を用いた分析手法で、ダメージレスな界面の結合状態評価を行うことができます。

HAXPESは、XPS（X線光電子分光）の励起光に硬X線を用いた分析手法です。
HX-PES、HXPESとも呼ばれます。
高エネルギーなX線励起により通常のXPSよりも数～約10倍深い、50nm程度までのバルク状態評価、ダメージレスな界面の結合状態評価を行うことができます。
この装置はGaKα線源（9.25keV）を搭載した実験室機のため、試料作製から測定までのタイムラグを短縮可能です。
・バルク敏感（～50nm程度）な状態評価
・非破壊での埋もれた界面の結合状態評価
・深い内殻軌道を用いた評価（XPSで重畳するオージェピークの回避、分裂のない1s軌道を用いた解析）

GCIB（Gas Cluster Ion Beam）によるスパッタを併用した測定や角度分解測定、Al線源（1.49keV）、中和銃、大気非暴露測定などのオプションも備えています。
・GCIBによるダメージレスなスパッタクリーニング※デプスプロファイルは原則不可
・Al線源や角度分解測定を用いた結合状態の深さ方向比較
・大気非暴露下での評価

基本情報

＜適用例＞
・リチウムイオン電池Si系負極材、正極金属酸化物のバルク状態評価
・ゲート絶縁膜、キャパシタ材料の界面状態評価
・金属腐食表面の深さ方向状態変化
・コアシェル型ナノ粒子の結合状態評価
・有機物のバルク状態評価

価格帯 詳しくはお問い合わせください。
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取扱企業

財団法人材料科学技術振興財団

業種：試験・分析・測定  所在地：東京都 世田谷区喜多見 1-18-6

製品開発・品質管理を強力サポートする、受託分析サービス。 公正中立な第三者機関として、最先端の科学技術の発展に貢献します。

エレクトロニクス分野・マテリアル分野・ライフサイエンス分野などの製品・材料・素材の分析を、100種以上の分析手法を取り揃えて承っております。
お客様の「なぜ？」「困った…」「どうなってる？」に分析データ・解析結果でお応えします。

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