半導体用語集
近接露光
英語表記：Proximity Exposure
光露光の方式には，コンタクト（密着）露光，近接露光，縮小露光，反射投影の4種類の方法があり，半導体集積回路の集積度とともに進歩してきた。コンタクト露光方式は，光源から出た光を光学系で平行光線にした後，フォトレジストつき基板をマスクに密着させたまま露光する最も簡潔な方式である。この方法は露光回数が多くなると，マスクと基板の間にはさまったごみやフォトレジストのかけらなどにより，マスクが傷つきマスクを破損したり，できたパターンが不良になったりする。コンタクト露光の欠点を解消するために，マスクとウェハを 10～20μm離した状態で露光する近接露光方式が開発された。ウェハは，ウェハ保持台にセットされてから，フォトマスクとの距離が数10μmによるように持ち上げられ，ウェハアライメントスコープにより，ウェハとマスクの位置出し後，そのギャップを10～20μmにして後，照明系より光を照射し露光する。光源には水銀ランプが用いられ，光は縄の目レンズなどを用い照度分布を一様にし，コリメータレンズを通してウェハに照射される。近接露光の採用により，マスクの寿命とウェハの良品率を向上させている。
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