半導体用語集
遷移領域
英語表記：transition layer
金属一半導体界面のように,組成や結晶構造が異なる物質が接合している時、界面近傍に存在するバルクの組成や結晶構造からすれた領域のこと。 組成が変化している化学的構造遷移領域と結晶構造が変化している物理的構造遷移領域に分けて考えることもある。例として、シリコン基板とシリコン酸化膜の界面を取り上げる。 シリコン基板とシリコン酸化膜においては、界面を介しての電荷移動に基づく化学結合状態の変化に起因する化学的構造遷移領域と、シリコン基板とシリコン酸化膜中のシリコン原子間隔の違いによる応力を緩和するために、界面近傍の酸化膜のSiー0ーSi結合角がバルクの値からすれる物理的構造遷移領域がある。最近の研究によれば、構造遷移層のSi-O-Si結合角は、バルクのシリコン酸化膜の144°より狭い (130～140°）といわれている。
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