半導体用語集
重金属汚染
英語表記：heavy metal contamination
重金属とは軽金属に対する言葉で、比重が5倍以上の金属を示すが、比重4以上の金属を指す場合もある。重金属による汚染を重金属汚染という。比重は、結晶構造により異なるが、各元素のだいたいの比重を表に示す。太い線で囲んだ元素が重金属である。CMP直後は清浄ではないので、洗浄後の重金属汚染が問題されることが多い。具体的には、Fe、Ni、Cr、W、Ti、Cu、Taがウェーハ表面に残留することがある。CMP後のウェーハは、通常、ブラシでウェーハ表面の研磨砥粒等を除去後、薬液を供給し、ウェーハを回転させて乾燥される。ウェーハ表面の汚染濃度は、1cm2あたりに存在している原子の数で表すことが多く、洗浄後の許容される汚染濃度は、元素及びプロセス工程によっても異なるが、だいたい1×1010から1×1011 atoms/cm2 以下である。評価では全反射蛍光Ｘ線、ICP-MS（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry）及び原子吸光がよく使用されている。
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