半導体用語集
FZ結晶
英語表記：FZ crystal
FZ法は、Si以外の材料と直接接触しないことから（特にCZ法のように石英ルツボに接触しないために）、結晶中の酸素濃度が1×1016atoms/cm3（old ASTM）以下とCZ結晶より2桁低く、石英るつぼ中に多く含まれているAlやBなどの不純物にも汚染されない。また、重金属汚染も少ないことから、高い値のライフタイムが得られるさらに、ガスによる不純物ドープや、中性子照射による同位元素30Siから31Pへの変換により、結晶成長軸方向全長にわたり均一な抵抗率がえられる点は、CZ結晶にくらべて優位な点である。一方、FZ結晶は、中性子照射によるドーピング法を除いて、成長時のミクロなムラを生じるために、面内の抵抗率均一性がCZ結晶にくらべて劣る。しかし、磁場を印加して、シリコンメルト部分の対流を制御することで、ドーパントの面内均一化を試みるなど、工夫がなされて改善が進んでいる。また、CZ結晶より酸素濃度が低いことから、転位が発生しやすい問題がある。これについては、窒素ドープなどの工夫がなされ改善が進んでいる。
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