半導体用語集
銅（Cu）
英語表記：copper
Cuは、Feとくらべて、拡散係数は1桁、固溶度は3桁以上大きく、容易に結晶中に拡散し、冷却時にはシリサイドを形成して、欠陥の回りあるいはウェハ表面位に集積する。この性質を利用して、歪みが少なくX線トポグラフィ法で観察できなかった微小欠陥にCuがデコレートして観察可能となった。この観察法が銅デコレーション（Cu decoration) 法である。ウェハ表面の汚染時の熱処理でウェハ表面に形成されるシャローピットの核として、Cuシリサイドが析出している。電気特性に与える影響に関しては、Feと異なり、Cuは電気的には不活性で深い準位を形成しないために、ライフタイムに影響を与えない。デバイスには、析出によって悪い影響を与える。Cuのゲッタリングは、BSD、IGに対しては緩和型、PBSに対しては析出型の機構である。過剰な格子間シリコンしては、OSFにCuシリサイドが析出し、ゲッタリングを促進させることがある。
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