メタルCVD（metal Chemical Vapor Deposi tion） | 半導体用語集 |半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION（WEB展示会）による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET（セミネット）

半導体用語集

メタルCVD

英語表記：metal Chemical Vapor Deposi tion

金属化合物の熱分解を利用して金属膜を形成するCVD法。微細パターンへの配線、穴埋め、平坦化に対応して選択WCVD、プランケットWCVDが実用化されている。PVDの限界である段差被覆性を克服できるまた配線材料としてCuの有機化合物をソースにしたCu CVDが注目されている。特にアスペクト比(深さ/直径)の大きなコンタクトを埋め込むことのできる技術として開発され、代表的なものにタングステン(W)CVDがあり、ブランケット成長と呼ばれる全面堆積では、水素遠元(WF6十3H2 → W+6 HF) 、あるいはシラン遠元 (2 WF6+3 SiH4→2W+3SiF4+2H2）の反応により成膜する。選択成長と呼ばれる、Siが露出している領域のみで成長可能なシリコン還元（2 WF6+3 Si→2W+3SiF4）反応もある。その他、TiCl4とNH3を反応させる窒化チタン（TiN）CVD, Al(CH3)2を分解するアルミニウム（Al）CVD、Cu（hfac）(tmvs)を熱分解する銅（Cu）CVDがある。ここで、hfacはヘキサフルオロアセチルアセトン、tmvsはトリメチルビニルシランを表わす。