半導体用語集
電気めっき法
英語表記：electroplating method for bump formation
ウェハ上のAl電極上に，電気めっき装置を用いてバンプを形成する方法。
TABにおけるバンプ形成方法は，通常電気めっき法を用いる。この一般的なプロセスは，まず，ウェハ上にバリアメタルをスパッタ法，蒸着法などで形成する。バリアメタルは，密着層（Ti，Cr，TiW（チタンタングステン）など）を形成した後，金属間化合物の生成を防止する拡散防止層（Pt，Ni，Cu，Auなど）を形成する。続いて，バリアメタル上へのレジスト膜の塗布後，露光，現像を行い，開口部を形成する。この開口部に電気めっき法を用いて，バンプ材料となる金属（Au，Cuなど）を成長させる。レジストの剥離後，バンプ以外の不要なバリアメタルをエッチングし，バンプが形成される。
フリップチップにおけるバンプ形成方法も，電気めっき法が比較的多く用いられる。フリップチップのバンプ形成プロセスも，TABの場合とほぼ同じである。異なる点は，バンプ材料がはんだの時のバリアメタルの構成である。はんだの時のバリアメタルは，密着層（Ti，Crなど），はんだ濡れ性確保のための接合層（Ni，Cuなど）および酸化防止層（Au，Pdなど）からなる。また，電気めっき法で形成したはんだバンプは，通常リフローを行い，球状のバンプにする。
このように，電気めっき法では，フォトリソグラフィ技術を使用するため，微細ピッチバンプや多ピン化にも適用可能である。
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