半導体用語集
露光方式
英語表記：exposure method
マスクに描画されている回路パターンの原図をウェハ上に転写する方式。2μm以上の線幅で回路パターンを描いていた時には、コンタクト露光、近接露光、等倍投影露光が用いられていた。1μm以下の回路パターンを転写するのには、ステッパと呼ばれる縮小投影露光装置が用いられている。縮小投影露光法においては、5倍もしくは4倍の寸法で描かれた原図パターンを、縮小投影レンズで5分の1もしくは4分の1に縮小し、二次元に移動できるステージ上に固定されたウェハをステップして露光する。この動作を繰り返す(リピート)ことで、ウェハ全面に原図パターンを転写する。単にステッパと呼ぶ場合には、縮小投影露光装置を指す。縮小レンズは、高い開口数(NA)が等倍投影露光にくらべて比較的容易にえられるので解像度が優れる。縮小投影光学系の種類として、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系がある。屈折光学系は、レンズのみを用いた光学系であり、反射光学系はミラーのみを用いた光学系である。反射屈折光学系は、屈折光学系の一部、たとえば瞳面近傍にミラーやビームスピリッタを用いている。
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