半導体用語集
高密度プラズマエッチング
英語表記：High Density Plasma Etching
①高アスペクト比（d/ｗ）のパターンをドライエッチングするには、入射イオンの直進性を高くする必要がある。
②入射イオンの直進性を高くするには、チャンバ内を低圧力にしなければならない。
③低圧力中ではイオンシースの電界に引かれたイオンが直進する間に、他の粒子と衝突する確率が減り穴の底まで到達
し、底部での反応が活発となる。
④反面、減圧にすると反応ガスが希釈されてプラズマの発生効率が低下する。（プラズマ密度の低下）
⑤プラズマ密度が下がると、エッチング速度が遅くなり、生産性が悪化する。
⑥低圧力中でも高プラズマ密度を生成するため、色々な方法が開発された。（高プラズマエッチング装置）
⑦高プラズマエッチング装置には、HELICON、ICP、マグネトロンRIEなどがある。
⑧プラズマ発生室とエッチング室を分けてプラズマの発生効率とイオンの直進性の両者を独立して制御することが可能となっている。
関連製品
ULHITETM NE-7800H
株式会社アルバック
FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAMなどに用いられる難エッチング材料（強誘電体、貴金属、磁性膜等）のエッチングに対応したマルチチャンバー型の低圧・高密度プラズマエッチング装置です。
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › エッチング装置 › その他
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「高密度プラズマエッチング」に関連する用語が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
