半導体用語集
4探針法
英語表記：four-point probe method
4探針法は、インゴットウェハの抵抗率、拡散層・エピタキシャル層のシート抵抗の測定に用いられる。JIS H 0602およびASTM F84・F374で、測定法が標準化されている。資料表面に垂直に4探針を一直線上に加圧接触させ、外側の探針を通して電流 I（A）を流し、中2本の探針間の電位差V（V）を測定する。一般的には、定電流法で測定される。無限大としての単結晶試料の抵抗率（ρʙ）は、次式で算出される。
ρʙ (Ω・cm) = 2πS (V/ I)
ここに、Sは探針間隔である。
ウェハ試料の抵抗率（ρᴡ）は、ウェハ厚さの補正（Fᴡ）とウェハ直径とウェハ端からの距離の補正（Fᵣ）を加味して次式で算出される。
ρᴡ (Ω・cm) = 2πS (V/I)・Fᴡ・Fᵣ
ウェハ試料の厚さ（t）が十分に薄い（t≪S/2）時は、次式で算出されおる。
ρw (Ω・cm) = (2π/In2)・（V/I)･t・Fᵣ
上式よりtを除いた式は、シート抵抗（Ω/□）を表す。
キャリヤの移動度は温度依存性が大きいため（10Ω・cm以上で0.8％強のずれ）、JISでは25℃、ASTMでは23℃を基準温度として測定温度（T）の測定値（ρᴛ）を次式で温度補正をする。Cᴛは、温度補正係数である。
ρ23℃ = ρᴛ・Fᴛ
Fᴛ = 1-Cᴛ (Tｰ23)
おのおのの補正値は、JISおよびASTMで与えられている。
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