半導体用語集
4探針法
英語表記：four-point probe method
4探針法は、インゴットウェハの抵抗率、拡散層・エピタキシャル層のシート抵抗の測定に用いられる。JIS H0602およびASTM F84・F374で、測定法が標準化されている。資料表面に垂直に4探針を一直線上に加圧接触させ、外側の探針を通して電流 I （A）を流し、中2本の探針間の電位差V (V)を測定する。一般的には、定電流法で測定される。無限大としての単結晶試料の抵抗率
（ρB）は、次式で算出される。
ρB（Ω・cm）＝ 2πS（V/ I）
ここに、S は探針間隔である。ウェハ試料の抵抗率（ρw）は、ウェハ厚さの補正（Fw）とウェハ直径とウェハ端からの距離の補正（Fｒ）を加味して次式で算出される。
ρw（Ω・cm）＝2πS（V/I）・ｔ・Fｒ
ウェハ試料の厚さ（ｔ）が十分に薄い（ｔ≪S/2）時は、次式で算出されおる。
ρw（Ω・cm）＝（2π/Iｎ2）・（V/I）･t・Fｒ
上式よりｔを除いた式は、シート抵抗（Ω/□）を表す。キャリヤの移動度は温度依存性が大きいため（10Ω・cm以上で0.8％強のずれ）、JISでは25℃、ASTMでは23℃を基準温度として測定温度（T）の測定値（ρT）を次式で温度補正をする。CT は、温度補正係数である。
ρ23℃＝ρT・FT
FT ＝１－CT （Tｰ23）
おのおのの補正値は、JISおよびASTMで与えられている。
関連製品
「4探針法」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「4探針法」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
