半導体用語集
MOCVD法
英語表記：Metal Organic Chemical Vapor Deposition
有機金属を原料としたCVD法で、基板表面に原料となるガスを供給し、化学反応によって膜を堆積する方法。他の方法にくらべて、膜形成時の組成制御が容易であり、不純物の混入が少なく、段差被覆性に優れた成膜法である。スパッタリング法の弱点を補う成膜法としてMOCVD法が盛んに研究されている。FeRAMに用いられている強誘電体キャパシタはプレーナ型であるが、集積度が高くなるにつれて立体キャパシタ構造が要求される。その際スパッタリング法やゾル・ゲル法などは段差被覆性が十分でなく立体キャパシタ構造を作成するのは難しい。そのため、段差被覆性に優れたMOCVD法が次世代強誘電体成膜法として本命視されている。MOCVD法で重要となってくるのは原料の選択である。この成膜法に要求される原料の特性として、蒸気圧が高いこと、安定である（経時変化が少ない）こと、取り扱いが容易であること、気相中で反応しないことなどがあげられる。特に鉛系原料は毒性の高いものが多いことが問題視されている。通常、原料が液体となるような温度でArなどをキャリアガスとしてバブリングによりチャンバ内にガスを導入する。このガス導入方式だと、配管を原料と同様の温度以上に保たなければならなくなり、逆に温度が高すぎると配管中で分解してしまうおそれがあるためガス配管系の温度管理が難しくなる。特にDPM系のような固体原料を用いると配管中での析出が問題となり成膜特性の再現性が悪くなるおそれがある。このような問題点を解決するためにアルコールなどを溶媒とした溶液原料を液体状態のまま輸送、流量制御し、気化器を用いてチャンバ内にガスを導入する方式がある。この方法を用いると成膜速度の再現性などは向上するが、気化器内や気化器とチャンバ間の配管は依然として析出による配管詰まりのおそれはある。MOCVD法の場合、原料供給系の安定性と成膜速度向上、再現性が課題となる。
関連製品
「MOCVD法」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「MOCVD法」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
