半導体用語集
RTN
英語表記：Rapid Thermal Nitridation
半導体素子に用いられる絶縁膜として広く酸化シリコン膜（SiO₂）が用いられているが、この他に窒化シリコン膜（Si₃N₄）、酸化タンタル膜（Ta₂O₃）、酸化アルミニウム膜（Al₂O₃）、チタン酸ストロンチウム膜など多種の絶縁膜が用いられる。特に窒化シリコン膜は酸化シリコン膜と比較して、高い誘電率・高い密度・フッ酸に対する高い耐性を持つことから半導体素子作成に利用されることが多い。
窒化膜の形成方法にはシリコンを直接窒化する方法とCVD技術を用いた堆積法があげられるが、ここではアンモニアを用いたシリコンの直接熱窒化について述べる。RTNはランプ加熱法による急速加熱装置を用いた直接熱窒化技術である。シリコンの窒化反応は微量の酸化性不純物によって抑制されるため、直接窒化技術では原料に高純度のアンモニアガスを用いることおよび窒化装置の雰囲気を酸化性不純物が混入しないように保つことが重要である。ランプによる急速加熱装置は高純度雰囲気をえやすい点で直接熱窒化に適している。
窒化膜は NaイオンやH₂0の透過性が小さい特徴を利用して、パッシベーション膜として広く用いられているが、直接窒化時においても窒化種の拡散定数がきわめて小さいため、直接窒化法で厚い窒化膜をえるのは困難である。したがってRTN 法は数nm程度の薄い窒化膜形成に用いられる。
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