半導体用語集
FSG
英語表記：fluorine doped silicate glass
フッ素をドープし、誘電率を通常の酸化膜のε=4.0強から3.5前後まで下げて、配線間容量を減らすことを目的とした膜で、HDP-CVDで形成されるのが一般的である。高集積化されて配線ピッチが狭くなって来ている先端デバイスにおいて、配線間容量による信号遅延が問題となってきているため、層間絶縁膜の低誘電率化が必要とされており、そのひとつの候補材料である。フッ素が含まれることから膜の耐湿性や配線へのダメージなどが懸念され、通常は10％以下のドープ濃度に留まっている。したがって、劇的な低誘電率化は期待できないが、他の低誘電率材料をサンドイッチする膜として検討されている。
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