半導体用語集
HDP-CVD
英語表記：high density plasma CVD
高密度プラズマ（high Density Plasma）を用いた化学気相成長（Chemical Vapor Deposition）プロセス、またはそれを実現する装置のこと。高密度のプラズマを用いることから原料ガスの分解効率が高く、高い成膜速度が得られることが特長である。同時にプラズマ中のイオンの密度も高くなっていることから、さらに進んで基板ウェーハにバイアスを掛け、このイオンを積極的に取り込みことにより、堆積した膜の突起部やコーナー部をスパッタし、自己平坦化機能を持たせることが一般的である。これにより、微細な多層配線の層間絶縁膜形成において、配線間埋込み性や平坦性を向上させることが出来る。また、低電融率であるFSG膜を形成するプロセスとしても用いられている。高密度プラズマを実現するためにECR（Electron Cyclotron Resonance）や ICP（Inductively Coupled Plasma）などの手法が採られるが、装置が比較的小型化できることから、現在ではICPが主流となっている。
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半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 検査装置 › ウェーハ形状計測装置
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