半導体用語集

HDP-CVD

英語表記:high density plasma CVD

高密度プラズマ(high Density Plasma)を用いた化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)プロセス、またはそれを実現する装置のこと。高密度のプラズマを用いることから原料ガスの分解効率が高く、高い成膜速度が得られることが特長である。同時にプラズマ中のイオンの密度も高くなっていることから、さらに進んで基板ウェーハにバイアスを掛け、このイオンを積極的に取り込みことにより、堆積した膜の突起部やコーナー部をスパッタし、自己平坦化機能を持たせることが一般的である。これにより、微細な多層配線の層間絶縁膜形成において、配線間埋込み性や平坦性を向上させることが出来る。また、低電融率であるFSG膜を形成するプロセスとしても用いられている。高密度プラズマを実現するためにECR(Electron Cyclotron Resonance)や ICP(Inductively Coupled Plasma)などの手法が採られるが、装置が比較的小型化できることから、現在ではICPが主流となっている。



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