半導体用語集
HSG
英語表記：hemi spherical grained
DRAMのキャパシタ容量確保のために用いられる技術である。下部電極表面に半球状の凹凸を作り、キャパシタ面積を稼ぎ、キャパシタ容量を確保する。面積比は、おおよそ1.5~3倍が得られる。HSG形成の代表的方法に「核付け法」がある。600~620℃の温度中でアモルファスSi上に結晶比のための核を選択的に付け、高真空中でアニールすることにより、この核を中心としてHSG化させる。
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