半導体用語集
Siアイランド
英語表記：Si island
SIMOX法でSOI基板を作製する場合、イオン注入した酸素を高温熱処理で基板Siと反応させ埋め込み酸化膜を形成する。連続した埋め込み酸化膜が形成される~ 1X1018ｃｍー 2以上のドーズ量でも酸素と基板Siの反応が不完全になり、埋め込み酸化膜中に Siが島状に孤立して残ることがあり、Siアイランドと呼ばれる。Siアイランドは導電性を持ち、埋め込み酸化膜の絶縁耐圧を劣化させる。酸化性物質の酸化膜中拡散係数が小さいためITOX法でもSiアイランドを減少することはできす、Siアイランドの低減には酸素イオンのドーズ量を下げることが有効である。ドーズウインドウ(4.0士0.5X1017ｃm ー2 )付近では~ 1 x 1018cm ー2より大輛にSiアイランドが低減するとの報告がある。単にドーズ量を減少した場合には埋め込み酸化膜のビンホールが増加するが ITOX法の採川で減少でき、ドーズウとITOXを組み合わせることが埋め込み酸化膜の絶縁特性を高めるうえで有効である。
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